login
login
    

台日合作研發新世代電晶體 攻2奈米半導體製造
　　台灣半導體研究中心（TSRI）與日本產業技術總合研究所（AIST）合作，開發新型電晶體結構。日本媒體指出，這有助於製造2奈米以下線寬、規劃應用在2024年後的新一代先進半導體。
　　日本經濟新聞中文網今天報導，低溫晶片鍵合技術可將不同通道材料的基板，直接鍵合成一個基板，並應用在互補式電晶體元件上，可有效減少元件的面積。這項名為CFET結構的新型電晶體性能高、面積小，有助製造2奈米以下線寬的新一代半導體，相關技術在世界上也是首次執行，規劃未來3年內向民間企業轉讓技術，實現商用化。
【2021/3/8 Hit FM新聞部】

● 彰化用水大戶被鉛封減供 運動中心關閉一半盥洗室

● 國泰奪港龍15條大陸航線 最快夏季可復飛
更多即時新聞...